11月5日，在首届中国国际进口博览会上，华润微电子与重庆西永微电园签署协议，华润微电子将投资约100亿元，在重庆西永微电园建设国内首座本土企业的12英寸功率半导体晶圆生产线，主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。
近年来，重庆相继引进了SK海力士、万国半导体、紫光集团等重量级企业及项目，迅速跃升为全国集成电路产业城市新星，西永微电园则是重庆集成电路产业的重要集聚区。数据显示，今年1-9月，西永微电园集成电路产业产值101.04亿元，同比增长23.54%，占全市集成电路产值的90%左右，将力争打造成全国最大的集成电路产业园区。
这次12英寸晶圆生产线项目是西永微电园今年引进的第四个百亿级项目，与新落地的SK海力士二期、联合微电子中心、华润基板级扇出封装项目组成集成电路百亿级“四朵金花”，构建覆盖IC设计、晶圆制造、封装测试及原材料配套的集成电路全规格全产业生态链。
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2018年11月5日，华润微电子旗下的华润上华宣布，公司已成功开发出第三代0.18微米BCD工艺平台。新一代BCD工艺平台在降低导通电阻的同时，提升了器件的可靠性，降低了工艺成本，可覆盖7V-40V的宽工作电压范围，为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺方案。
华润上华第三代0.18微米BCD工艺基于大量的仿真和流片数据，对高压器件结构进行优化，将综合性能做到业界领先水平。其中30V nLDMOS的击穿电压达到50V，导通电阻仅为 15 mohm*mm^2，相比第二代0.18微米BCD工艺在品质因子 （Ron*Qg）指标上优化25%。新一代BCD工艺平台提供了BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰富的寄生器件，以及针对不同工作电压的ESD保护方案。目前已有手机、安防监控、消费电子等多个领域的客户在该平台导入产品，器件性能得到国内外多家客户的一致认可。
作为国内领先的模拟晶圆代工厂，华润上华在BCD工艺平台上已耕耘多年，具有丰富的量产经验，从6英寸生产线到8英寸生产线，从1μm延伸至0.18μm，在各个节点上可满足客户对电源管理芯片设计的全方位需求。
华润上华市场销售副总经理邵军表示：“我们期待第三代0.18微米BCD工艺平台能为客户提供更高性价比的方案。未来，华润上华还将持续精进，不断提升BCD工艺平台的竞争力，满足客户在电源管理芯片上的多种需求。”
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功率半导体器件也叫电力电子器件，它的作用是进行功率处理的，是处理高电压、大 电流 的。IGBT 和功率MOSFET器件是目前应用最广泛的电力电子器件，作为新型功率半导体器件，在计算机、通讯、消费电子、汽车电子等领域广泛应用。本文主要讲述功率MOSFET器件在各行各业的应用。
MOSFET是一种可以广泛使用在 模拟电路 与数字电路的场效 晶体管 ，依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET。MOSFET在数字信号处理上最主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构最大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门的切换动作时才有电流通过。
和IGBT市场类似，目前全球的MOSFET器件由欧美日等企业垄断，英飞凌、仙童半导体、瑞萨 、 意法半导体 、 东芝 等厂商占据了绝大部分。
功率MOSFET器件的应用MOSFET自1980年即进入电子商业应用，早期功率MOSFET器件主要是针对PC市场和主板和显卡升级换代，随着 Type-C 接口的普及，MOSFET在功率转换、过载保护上发挥着重要作用，快充接口统一带动MOSFET发展。
由于MOSFET是电动汽车驱动控制系统和充电桩 电源模块 的核心零部件，近年来，随着物联网、电动车的发展，汽车电子比重提升，产业需求迅速增长，MOSFET等功率元件也迎来了短期的爆发。
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